► МЕМС
► СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА
► КАРБИД КРЕМНИЯ: РОСТ, ЭПИТАКСИЯ, ПРИБОРЫ
► ЭЛЕКТРОННЫЕ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА
► ОБРАЗОВАНИЕ
КАРБИД КРЕМНИЯ: РОСТ, ЭПИТАКСИЯ, ПРИБОРЫ
Основные направления работ:
1. Технология роста монокристаллов карбида кремния;
2. Технология роста эпитаксиальных слоев на подложке из карбида кремния;
3. Разработка приборов на основе карбида кремния (высоковольтные (до 3300 В) диоды Шоттки; светодиоды; датчики) и технологии их изготовления;
4. Поставка материалов для технологических процессов;
5. Поставка оборудования для роста монокристаллов карбида кремния, резки слитков карбида кремния; для эпитаксии, для технологических процессов изготовления приборов.
Исследованиями и постановкой технологий занимается международная группа ученых и инженеров, имеющих опыт в этой области.
В настоящее время компания занимается разработкой оборудования для производства материалов, используемых для производства монокристаллов карбида кремния.
Наша группа разработала новую концепцию создания приборов на основе карбида кремния, начиная от роста монокристаллов до приборных структур. Эта концепция направлена на решение основной проблемы в этой области – снижение себестоимости.